2022年，全球半导体硅外延片市场规模增长至60.6亿美元

退火片：将抛光片置于氢或氩气氛中，按照一定的程序进行升温、降温过程制得，可以消除氧对硅片电阻率影响，提高芯片良率，主要应用领域包括一般CMOS元件制造及DRAM制造。

SOI硅片：抛光片经过氧化、键合或离子注入等工艺处理后制成。通过在顶层硅和支撑衬底之间加入一层氧化物绝缘埋层，可以实现集成电路中元器件的介质隔离，大幅减少硅片的寄生电容以及漏电现象，并消除了闩锁效应，主要用于射频前端芯片、功率器件、传感器以及硅光子器件等。

半导体硅外延片被大规模应用于对稳定性、缺陷密度、高电压及电流耐受性等要求更高的半导体器件中，主要包括MOSFET、晶体管等功率器件，及CIS、PMIC等模拟器件，终端应用包括汽车、高端装备制造、能源管理、通信、消费电子等。随着新能源汽车、高端装备制造、5G通信、物联网、智能手机等行业的不断发展，全球半导体硅外延片市场规模持续增长。2015年至2022年，全球半导体硅外延片市场规模从36.8亿美元增长至60.6亿美元，复合增长率为7.39%。

根据智研咨询的数据，2015年至2023年中国大陆硅外延片市场规模从65.40亿元增长至112.50亿元，复合增长率为7.02%。5G通信、特高压、城际高速铁路和城市轨道交通、新能源汽车充电桩和工业互联网等新型基础设施均需要使用功率器件和CIS、PMIC等模拟器件，将带动中国大陆半导体硅外延片市场需求持续增长。