
前驱体是ALD和CVD薄膜沉积工艺的核心原材料。前驱体是获得目标产物前的一种存在形式,多以有机-无机配合物或混合物固体存在,也被定义为目标产物的雏形样品。
逻辑、存储芯片不断发展,叠层薄膜沉积技术应用越来越广泛,预计前驱体市场将保持快速增长。先进制程的发展对薄膜沉积的层数与质量要求越来越高,对先进前驱体材料的需求进一步提升。AI大模型的快速发展对存储芯片提出了更高的要求,目前高端AI服务器GPU搭载HBM芯片已成主流,高带宽存储芯片(HBM)需求有望迎来快速增长阶段。据集邦咨询预计,2023年全球HBM需求量将年增近六成,达到2.9亿GB,2024年将再增长30%。随着HBM堆叠DRAM裸片数量逐步增长到8层、12层,我们预计HBM新技术发展及渗透将驱动上游相关材料发展,前驱体需求有望快速增长。
公司是国内领先的前驱体供应商,产品可以满足全球最先进DRAM存储芯片制程1b、200X层以上NAND、逻辑芯片3纳米的量产供应。公司的前驱体材料拥有自主知识产权并获得多项国际发明专利,覆盖硅类前驱体、High-K前驱体、金属前驱体,可以灵活根据下