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脑机接口核心技术壁垒集中在产业链中上游

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脑机接口核心技术壁垒集中在产业链中上游
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© 2026 万闻数据
数据来源:国家金融研究院
最近更新: 2026-01-05
补充说明:1、E表示预测数据;2、*表示估计数据;

数据描述

脑机接口产业链的上游企业数量占比为8%,上游技术和产品主要涵盖核心元器件,其中电极与芯片是关键组成部分,当前该技术领域尚未形成统一标准。有创电极技术各有优劣,呈现出多家企业主导不同类型电极并行发展的态势。

头戴式脑电帽电极的制备较为简单,通常是将金属电极嵌入到头戴式帽子中,并与放大器相连。这些电极通常由银/银氯化物和碳纳米管等材料制成,其制备过程涉及金属电极的制备和头戴式电极的集成。头戴式脑电帽电极需要与脑机接口放大器相匹配,以确保信号的质量和可靠性。一些脑机接口设备制造商,如美国的NeuroSky和Emotiv公司等,提供完整的头戴式脑电帽电极和相应的放大器设备。

非侵入式脑机接口电极按是否需液体介质可分为干、湿、半干三类。湿电极信号稳定,但存在凝胶干燥衰减、需清洗头皮等问题;干电极使用便捷,却面临阻抗高、信号不稳的缺陷;半干电极兼顾两者优势,然传统产品刚性较强,易因头部活动移位。核心矛盾集中在信号质量与使用便利性的平衡,改进方向除传统的柔性化、高密度升级外,新增动态电极重构与智能降噪、仿生材料适配优化两大创新方向,同时拓展多元佩戴形态提升实用性。