
根据闪存市场,美光预计HBM潜在市场规模(TAM)的复合年增长率(CAGR)约为40%,从2025年的350亿美元增长至2028年的1000亿美元,这一市场规模将超过了2024年整个DRAM市场规模。美光上调资本开支,增加的资金将主要用于支持其在2026日历年的HBM供应能力及1-gamma工艺节点产能。美光正加紧下单采购设备并加速安装,以最大化产出能力。
SK海力士M15X工厂量产时间提前,或抢先应对Rubin对HBM4需求。根据闪存市场援引韩媒thelec报道,SK海力士M15X新工厂的量产比原计划提前4个月,或为抢先应对Rubin对HBM4的需求。SK海力士目前已经完成1b HBM4工艺的认证,并将于明年1月初向英伟达交付其下一代12层HBM4内存的最终样品。受益于HBM等涨价、产能紧张,存储量价向上周期预计延续。
建议关注存储扩产对国内半导体前道和键合设备的拉动,以及HBM对混合键合等封装技术和高端产能的带动,建议关注北方华创、拓荆科技、精测电子、中科飞测、中微公司、通富微电、长电科技、华海诚科等。