2Q25长江存储在全球 NAND市场份额仅为 9%左右

DRAM存储芯片龙头长鑫存储于2025年7月开启上市辅导，估值1400亿元。同时，公司正加速DDR4/LPDD4向DDR5/LPDDR5转移产能。据Counterpoint预估，长鑫存储2025年月产能将达30万片，年增近50%。长鑫2025年Q2在全球DRAM市场市占率约为10%，其中，DDR5市占率预计将从1%跃升至7%，LPDDR5市占率将从0.5%提升至9%。

3D NAND存储龙头长江存储三期项目主体于2025年9月成立，注册资本超200亿元。据TechInsights，长存的2yy层NAND芯片，其TLC位密度超过了20Gb/mm²，达到全球最高水平。长存2025年Q2在全球NAND市场市占率约为9%，扩产空间巨大。

随着长存3D NAND芯片堆叠层数的持续增加以及长鑫HBM等DRAM新产品的导入及相关产能的逐渐释放，其后续对核心刻蚀及薄膜沉积设备的采购需求将进一步明确和增加。

NAND技术正经历从单一“容量扩张”向“性能与容量协同提升”的关键转型，核心工艺解决路线在于3D堆叠层数的持续突破。2025年，三星、SK海力士等厂商已实现300层以上3DNAND的量产，预计2026年实现400+层NAND量产，而长江存储的200层以上3D NAND也已商业化。随着技术节点从100层向大于500层以上演进，工艺复杂度呈指数级上升，同时对核心设备的性能提出了极致要求。