
IGBT模块是新能源汽车的核心组件。新能源汽车的动力系统由电池、电机和电控构成,其中IGBT模块被广泛应用于充电和电机驱动。在充电环节,IGBT模块将交流电转换为直流电,升压后输入电池组;在驱动环节,IGBT模块将动力电池中的直流电变换为交流电,驱动电机运转,并控制其扭矩和转速。此外,IGBT还用于车载空调等辅助系统。因此,IGBT模块的性能直接决定了新能源汽车的充电效率、能量利用率与电气系统稳定性,对整车产品力具有显著影响。
新能源汽车销量高增,IGBT需求量快速扩容。EVTank数据显示,2024年全球新能源汽车销量达到1,823.6万辆,同比增长24.4%,其中中国新能源汽车销量达到1,286.6万辆,占全球销量的70.55%。EVTank预计,2025全年全球新能源汽车销量将达到2,239.7万辆,其中中国将达到1,649.7万辆,2030年全球新能源汽车销量有望达到4,405.0万辆,推动IGBT需求量快速扩容。
SiC MOSFET具备显著性能优势,渗透率将持续提升。与IGBT相比,SiC MOSFET具备更高开关速度,能够大幅降低开关损耗。在同等导通损耗条件下,将IGBT替换为SiC MOSFET可分别减少约19%的开通损耗和78%的关断损耗,总体能量损耗降低41%。此外,碳化硅材料具备更高击穿场强和更优热导率,在高温、高压场景下表现更佳。基于显著优越的综合性能,我们认为,SiC MOSFET将在部分车用场景替代硅基IGBT,以性能优势驱动渗透率提升。