2020年全球InP衬底竞争格局

光芯片：需求端快速释放，供应商积极扩产应对产能瓶颈。随着2026年800G、1.6T光模块需求有望快速提升，上游核心物料如光芯片（如100G/200G EML、70 mW /100mW CW光源等）的需求亦有望快速释放。市场对于光芯片厂商的产能扩充节奏较为关注，根据各厂商于11月业绩电话会中的表态，我们观察到光芯片供应商正积极扩产，以应对潜在的产能瓶颈：Lumentum表示公司光芯片产能预计在未来几个季度内新增40%，目前公司在生产良率和产能方面均取得了超预期的进展，且预计2026年200G EML的收入占比有望显著提升；Coherent表示公司正在积极提升6英寸磷化铟晶圆的产能，预计在未来的一年内，公司光芯片产能有望实现翻倍；源杰科技在10月底的投资者关系记录表中表示，公司持续加强设备投入，综合设备交付节奏以及调试等因素，预计光芯片产能将从今年年底至明年逐步成长。

关注光芯片核心原材料：InP衬底。衬底是半导体器件制造过程中用于支持和构建其他功能层的基础材料，可通过气相外延生长技术在其表面生成相应材料和结构。光芯片通常以Ⅲ-Ⅴ族化合物磷化铟（InP）和砷化镓（GaAs）等材料作为衬底，其中InP衬底可用于制作CW、EML和PIN、APD探测器芯片，主要应用于电信、数据中心等领域。据源杰科技招股说明书披露，公司2022年1-6月的主要原材料采购中，衬底的占比为27.21%，我们认为未来随着光芯片需求扩张背景下，上游InP衬底厂商有望迎来快速发展机遇。竞争格局方面较为集中，根据Yole数据，2020年全球前三大厂商占据InP衬底市场90%以上份额，其中Sumitomo为全球第一大厂商，占比为42%；北京通美位居第二，占比36%；日本JX位居第三，占比13%。