2024-2030年全球存储市场规模变化（单位：美元）

存储周期复盘：供需错配驱动周期上行，新品迭代提高产品附加值。2016年以来，存储行业共经历三轮上行周期，分别为：2016-2018年，2020-2021年，2024年至今。三次周期上行的主要驱动力均来自：下游需求爆发式增长及供给端产能释放缓慢带来的供需错配，以及产品升级换代带来的附加值提升。

2016-2018年：全球公有云建设提速与DDR4加速渗透。需求端：全球云服务在这一阶段进入加速扩张期，AWS、Azure、阿里等厂商持续加大资本开支，推动服务器出货量与单机存储配置同步提升，显著拉动DRAM与企业级NAND需求。此外，DDR4相比DDR3具有更高频率、更低功耗和更大容量，整机厂在该阶段加速导入，并在2016-2017年实现对DDR3的快速替代。供给端：存储原厂产能释放偏慢，行业形成偏紧供应格局，供需错配共同推动DRAM与NAND价格快速上行。据TrendForce统计，2017年全球DRAM产业的整体营收同比增长76%，行业步入营收、利润双增的高景气阶段。

2020-2021年：远程办公与居家学习全面普及，推动终端PC、平板采购量提高。疫情催生远程办公与居家学习需要，推动笔电、平板等终端需求结构性爆发，全球平板、笔电出货量连续两年维持高位，显著拉动DRAM与SSD需求。据Gartner统计，2020年全球PC出货量为2.75亿台，同比增长4.8%，2021年全年PC出货量达3.398亿台，同比增长9.9%，创近十年新高。云端侧，为支撑视频会议、在线教育与协同办公的高负载需求，超大规模数据中心加速扩容，服务器DRAM与企业级SSD出现阶段性供不应求。同时，游戏主机、AR/VR等“宅经济”相关终端也加速放量，共同推动行业步入上行周期。

2024年以来：AI基建扩张与HBM、DDR5等产品代际升级成为核心驱动力。2023年末以来，生成式AI训练规模呈现指数级提升，云端训练与推理对高带宽、低延迟存储依赖显著增强，推动HBM、高端DRAM及企业级SSD需求快速增长。AI由云向端侧渗透，AI手机、AIPC、智能汽车等终端对本地模型存储、缓存与高速读写提出更高要求，带动LPDDR5X、UFS 4.0及车规级存储容量与性能同步升级。整体来看，存储需