2021年全球NAND主要企业市占率情况

领域具备一定规模优势和较高行业知名度，25年其发布新一代C930，同时披露C908X、R908A、XL200等玄铁处理器家族新成员的研发计划。RISC-V作为开放指令集架构，随着越来越多的企业加入，生态越来越完善，有望与x86和Arm三分天下，也有助于我国发展自主可控的处理器芯片。

很显然，RISC-V作为一种开放式、免授权费的指令集架构，因具备高度弹性与可自订性，已成为中国芯片业界因应技术封锁的重要替代方案。面对美方在高端处理器、EDA工具与先进制程设备方面的出口限制，中国业界正加速推进RISC-V本土生态建设，以降低对x86与ARM等主流架构的依赖。在这种趋势下，我国厂商有望通过自研芯片，逐渐打破外部制约，并且逐渐形成自主化的RISC-V生态圈。在AI飞速发展的当下，这对于我国CSP厂商从实体层、传输层、协定层、系统层到软件层实现全面开源，打造全线开源的AI芯片设计模式有非常重要的意义，进而也将促使我国本土AI芯片自主化成长与出货规模持续、快速成长！

存储芯片是BT载板最为核心的应用领域，当前全球存储芯片市场主要为三星、SK海力士、美光等企业所垄断，韩系载板企业主要由三星、SK海力士站台，台资载板企业则与美光等存储头部公司保持非常深度的合作关系，因此在存储载板领域，无论是出货量亦或是技术能力，韩厂和台资企业之所以具备明显的领先优势，与全球存储龙头的支持是密不可分的。对于内资载板企业而言，我国终端企业本土化需求的持续发展，整体存储供应链对上游的持续、稳定支持，是其技术不断进步和产品迭代成长的重要支撑。

2014-2016年开始，以合肥长鑫、长江存储为代表的内资IDM企业开启了对三星、海力士和美光等国际巨头的追赶：

➢长江存储：NAND Flash制程已接近极限，厂商另辟蹊径转向3D发展，通过增加芯片堆叠层数提升存储容量。长存是内资NAND芯片IDM代表企业，2014年启动3D NAND闪存项目，2016年完成第一代3D NAND闪存测试芯片设计，并于2018年实现量产，同年推出XTacking架构，基于此架构2019年成功量产第二代3D NAND闪存芯片，并完成第三代TLC 3D NAND设计，2020年，长存跳过96层，直奔128层，成功研发QLC3D NAND，并于2021年实现量产，抹平了与三星等国际巨头之间的产品代差。当前，