
按照是否涉及光电信号的转换,光通信芯片可以分为有源光芯片和无源光芯片;按照功能的不同,有源光芯片可以分为激光器芯片和探测器芯片。激光器芯片能够将电信号转换为光信号并发射,探测器芯片能够接收光信号转换为电信号,两者承担着光通信系统最重要、最基础的职能,即信号的产生与接收。
按照出光结构的不同,光通信芯片可进一步分为边发射芯片和面发射芯片,边发射芯片包括激光器芯片(FP、DFB和EML芯片)和主流的探测器芯片(PIN和APD芯片),面发射芯片主要包括VCSEL芯片。
光芯片企业通常采用三五族化合物磷化铟(InP)和砷化镓(GaAs)作为芯片的衬底材料,相关材料具有高频、高低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点,符合高频通信的特点,因而在光通信芯片领域得到重要应用。按照衬底材料的不同,磷化铟衬底芯片主要包括边发射激光器芯片(FP、DFB和EML芯片)、探测器芯片(PIN和APD芯片)等,主要应用于电信、数据中心等中长距离传输;砷化镓衬底芯片包括面发射激光器芯片(VCSEL芯片)、高功率激光器芯片等,主要应用于数据中心短距离传输、3D感测等领域;此外硅基衬底芯片包括硅光子芯片以及PLC芯片、AWG芯片等无源芯片,薄膜铌酸锂衬底芯片包括高速调制器芯片等。
作为最主要的成本构成,芯片的差异成为衡量光器件高低端的主要标准。从光模块的成本占比来看,光模块产品所需原材料主要是光器件、电路芯片、PCB以及外壳等。其中,光器件