薄膜沉积设备及细分领域市场份额

随着薄膜沉积工艺逐渐成熟，行业内已形成相对固定的工艺流程。基于晶圆制造不同环节的应用场景，半导体薄膜沉积领域进一步衍生出PECVD、溅射PVD、ALD、LPCVD等多样设备，以适配各工艺需求。其中，PECVD占据市场主导地位，在薄膜沉积设备整体市场中的占比达33%；ALD设备占比11%；而SACVD作为新兴设备类型，目前市场占比较小。

PVD（物理气相沉积）、CVD（化学气相沉积）与ALD（原子层沉积）是半导体制造中三种主流薄膜沉积技术。其中，PVD通过蒸发-凝固的形核长大机制实现薄膜沉积，具备高沉积速率、无杂质残留等优势，成为成熟制程中金属薄膜制备的主流方案；但该技术受限于5nm级的涂层均匀性水平与一般的台阶覆盖率，且需在高真空环境下运作，难以适配先进制程需求。

CVD则借助气相化学反应完成形核沉积，以0.5-2nm的涂层均匀性、较快的沉积速率，广泛应用于介质薄膜等中低端场景，兼顾实用性与成本效益。