
MLPCB&HDI技术呈现如下发展趋势:1)层数增加。为支持更加复杂、精确、高速的电子功能,PCB的设计向更高层数及集成度的方向发展。部分PCB厂商大规模生产的MLPCB层数已经达到14层及以上,线宽/线距逐渐从主流的100/100μm向50/50μm缩小,以在有限的空间内实现更高的布线密度。2)高密度互连技术。HDI技术通过采用盲孔、埋孔、叠孔等先进钻孔技术,实现比传统通孔更小的孔径与布线间距。MLPCB结合高密度互连技术,能够有效解决多层间复杂信号的互连问题。3)HDI技术向更高阶发展。高阶HDI指三阶及以上的HDI(3+N+3或以上结构),具有高密度、高频、信号处理、高速等性能优势。高阶HDI线宽线距从100μm缩减至40μm,盲孔直径从150μm缩减至60μm,纵横比从10:1提升至25:1、30:1,进一步实现高密度集成与微型化。4)高频高速材料升级。为满足日益增长的高速数据传输需求,高频低损耗材料的应用已成为高多层PCB技术发展的重要方向。越来越多高多层PCB厂商已经从使用M4、M6材料发展至使用M7、M8等高速材料,以有效降低能量并确保高速数据传输的稳定性和可靠性,未来将向使用M9等更低损耗等级的材料持续发展。
高速覆铜板通常以松下电子Megtron序列作为规格划分,介电常数(Dk)和介质损耗因子(Df)是衡量覆铜板电性能、决定应用等级的核心参数。Dk也称电容率,表示材料在电场作用下储存电能的能力,DK值越低,电信号在材料中传播的速度越快,延迟越低。Df用于衡量材料消耗电能(转化为热能)程度的指标,Df值越低,信号在传输过程中的能量损耗越小,衰减也越小,能提高信号完整性。