DRAM市场竞争格局演变

我们在2024年5月14日的《美光科技：HBM自我突破在AI浪潮中引领重估》的报告中详细分析了三大厂商的先进制程爬坡进度和产品矩阵：

制程上：1）美光：相较海力士23年5月导入1-β制程，美光自2021和2022年分别率先量产1-α和1-β制程DRAM，取得制程领先，历经三年，DRAM产能已基本完成转换，计划25年量产1-γ制程的DRAM；2）海力士：如我们前文提到，海力士规划24年于利川M16、M14工厂扩充1-α和1-β的产能，并将从1-αDRAM开始着手导入EUV制程，计划在2024年底将1-α和1-β产量增加到DRAM总产量的一半以上；3）三星：受自1znm开始过早导入EUV拖累，丢失DRAM制程优势，时至今日，尽管业界已先后采用了EUV制造DRAM，但三星在密度和性能竞赛中仍然落后，三星24年同样着眼先进制程产能爬坡。

1-γ制程成“兵家必争”，大规模EUV导入或重塑格局。1）海力士：根据Digitimes 24年4月报道，海力士内部DRAM技术路线规划24Q3开始试产1-γ，并随后向英特尔等客户验证产品效能，报道指出效能认证通常持续1-2个月，完成之后可着手进行量产，海力士正通过利川厂安装6-7台EUV设备，将在日后服务于1-γ量产。同时，韩媒The Elec 24年5月报道海力士计划在1-γ制程上引入Inpria MOR光刻胶，其1-γDRAM将有5层EUV曝光，其中一层采用MOR技术绘制，有助于提升DRAM性能并降低成本；2）美光：将领先竞争对手率先转向1-γ制程，将在1-γ制程中开始导入EUV，截至美光FY24Q2业绩会，1-γ制程已开始在台中试产，并将于25H1先行在台中厂量产；3）三星：根据Digitimes 24年4月报道，三星在Memcon 2024上公布DRAM量产路线图，根据计划将在24年底跟进1-γ节点。报道指出鉴于三星在EUV上导入更早，因此产线上估计已使用至少30余台EUV设备。

我们认为，EUV导入1-γ制程对于三家厂商均是风险和机遇并存，量产时间和产能均值得关注。三星和海力士导入EUV较美光更早，前期积累经验或有助于两家在转向EUV生产1-γ过程中更加顺畅，然而鉴于二者24年仍将着重于进行1-α和1-β产能爬坡，1-γ试产成功后何时推出1-γDRAM产品并顺利进行产能爬坡值得关注；同时，美光采用DUV的1-α和1-β制程已经成熟，但EUV导入1-γ仍是首次，能否攻克工程问题，实现良率和产能爬坡将是其工艺优势维持关键。