全球及我国抛光液市场销售额

图59：全球及我国抛光垫市场规模图60：全球及我国抛光液市场销售额

中国抛光垫市场规模（亿元）全球抛光垫市场规模（亿美元）

150 100 50 0

中国抛光液销售额（亿元）全球抛光液销售额（亿元）中国市场占全球比例（%）

20%

15%

10%

5%

0%

资料来源：TECHCET、集成电路材料研究、招商证券（注：全球资料来源：CABOT、招商证券及我国抛光垫市场规模单位不同）

根据TECHCET，受益于逻辑和存储芯片技术节点进步、掩膜步骤数、3DNAND层数、刻蚀及刻蚀后去除步骤数增加，全球半导体关键清洗材料（包括刻蚀后残留物清洗液和抛光后清洗液）保持增长。2021年，全球半导体关键清洗材料市

场规模超过10亿美元，预计2022年将达到11亿美元，2022-2026年复合增长率为6%。

半导体先进制程推动CMP种类和用量增长。全球晶圆厂积极扩产，产能持续向中国大陆转移，大陆半导体产业链自主化进程加速推进，推动本土CMP材料市场快速增长。而芯片制造技术的发展，也使得CMP工艺在集成电路生产流程中的应用次数逐步增加，以逻辑芯片为例，250nm制程芯片需经历约8道CMP步骤，5nm制程所需的CMP处理增加为34道；14nm以下逻辑芯片工艺要求的关键CMP工艺均在20步以上，7nm以下逻辑芯片工艺中CMP抛光步骤超过30步。从90nm到14nm，使用的抛光液数量将从�六种增加到二十种以上；7nm及以下逻辑芯片工艺中，抛光液种类接近三十种。根据CABOT，当逻辑芯片制程达到5nm时，约25%-30%生产步骤都要用到抛光液；存储芯片由2DNAND升级到3DNAND后，由于结构更复杂，抛光步骤数近乎翻倍，且约50%生产步骤需要用到抛光液。技术进步叠加芯片制程精细度提高，将为CMP需求打开广阔空间。

图61：CMP抛光步骤随集成电路技术进步而增加图62：CMP抛光步骤随存储芯片技术升级而增加

抛光次数其他钨 4016

3514 3012 2510 20 158 106 54 02 0

2DNAND3DNAND

资料来源：集成电路材料研究、招商证券资料来源：鼎龙股份公告、招商证券

抛光材料主要由美日龙头企业垄断，国产替代空间十分广阔。全球CMP抛光液市场的供应商，主要有美国的卡博特、日本的日立和富士美等，三家公司全球市占率一半以上，中国企业安集科技初步打破了抛光液的进口依赖局面，获得了全球2%的市占率，国产替代空间仍十分广阔；抛光垫市场的全球供给格局呈现出明显的一家独大特征，陶氏市占率接近80%，卡博特位居第二，市占率约5%。