2023-2029E 年全球功率半导体分立器件及模块细分市场份额示意图

MOSFET相比，其尺寸可大幅减小至原来的1/10，导通电阻可至少降低至原来的1/100。相同规格的碳化硅基MOSFET较硅基IGBT的总能量损耗可大大降低70%。

（2）从功率半导体市场份额看，SiC MOSFET分立器件与模块占比将在未来显著提升。根据Yole，2023年，全球功率半导体市场（含分立器件与模块）总规模为238亿美元，预计到2029年将以7.0%的复合年增长率增长到357亿美元，其中SiC MOSFET分立器件与模块份额将显著增加。

（3）SiC MOSFET被广泛应用于新能源汽车、充电桩、新能源发电、数据中心等领域，根据不同的下游场景其适用的电压等级也在不断细化，但总体来说更适合高压场景。按电压等级划分，400V的SiC MOSFET主要运用数据中心，650-1200V被应用于新能源汽车，1700V以上可用于充电桩、新能源发电等场景，高压系统是SiC MOSFET应用的大势所趋。随着SiC MOSFET的技术改进、产能增加与成本下探，且根据下游应用场景的不同特性，其电压等级也在逐步细化，总体来看相较于Si和GaN相关产品，SiC MOSFET的市场竞争力在不断提高。目前SiC MOSFET正在从6英寸晶圆生产逐步向8英寸过渡，尽管短期来看SiC市场或存在供过于求的局面，但长远看，其在高压场景和工业级应用中仍具备不可替代的优势。