
氮化镓是功率半导体行业传统硅材料的替代和升级材料,其解决了硅材料在频率、功率、功耗、热管理和器件尺寸方面的限制。氮化镓功率半导体产品具有高频、低损耗和性价比高等特点,被广泛采纳于智能设备快充、车规级充电应用和数据中心等多种应用场景。2023年,全球氮化镓功率半导体市场规模为17.6亿元。未来,氮化镓凭借其在效率、功率密度和可靠性方面的优越属性,有望大大提升功率器件行业的水平,并促进整个产业链的进步。
英诺赛科是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓外延及器件研发与制造的高新技术企业,采用IDM全产业链模式,建立了全球首条产能最大的8英寸GaN-on-Si晶圆量产线。目前,英诺赛科已实现了最初的规划,现拥有两座8英寸硅基氮化镓生产基地,采用最先进的8英寸生产工艺,是全球产能最高的氮化镓器件厂商。2023年,英诺赛科营业总收入为5.9亿元。