光刻机产业链

步移动，并同时实现将掩模图像缩小投影在硅片上，进行分步重复曝光，将芯片的最小工艺节点提升一个台阶。利用浸没式光刻技术，通过在光刻机投影物镜最后一个透镜下表面与硅片光刻胶之间充满高折射率的液体（如去离子水），进一步提高了光刻分辨率，把193nm光源的光刻工艺节点进化到22nm。

（5）EUV光刻机：采用波长为13.5nm的激光等离子体光源作为光刻曝光光源。即使其波长是193nm的1/14，几乎逼近物理学、材料学以及精密制造的极限，将最小工艺节点推进至7nm仍然面临着种种难题。荷兰ASML公司用于7nm工艺的EUV光刻机共有10万个零件，其中90%的关键设备来自世界各国。

目前，EUV光刻机可支持芯片制造商将芯片制程推进到3nm制程左右，但是如果要继续推进到2nm制程甚至更小的尺寸，就需要更高数值孔径的High-NAEUV光刻机。相比目前NA为0.33的EUV光刻机，High-NAEUV光刻机将NA提升到0.55，可以进一步提升分辨率与成像能力，从而实现更先进制成的生产。当前该技术由阿斯麦公司研发中，公司预计在2025年实现出货。

光刻机产业链主要包括上游材料与组件、中游光刻机整机以及下游光刻机具体应用三大环节。光刻机涉及的内部零件种类众多，且越高端的光刻机组成越复杂，其核心组件包括光源系统、双工作台、物镜系统、对准系统、曝光系统、浸没系统、光栅系统等，其中光源、晶圆曝光台、物镜和对准系统的技术门槛较为显著。因此，光刻机企业往往具备高外采率、与供应商共同研发的特点。

例如ASML公司用于7nm工艺的EUV光刻机共有10万个零件，其中90%的关键设备来自世界各国，在全球上、下游产业链共有5000多个供应商，分别提供的用于生产光刻系统的材料、设备、零部件和工具，ASML只负责中游整机设计与各模块集成。