龙图光罩具有较强的上下游匹配能力

公司依托长期以来的项目经验构筑了高精度测量技术，能够有效检测并指导缺陷修补，从而保障产品的一致性和稳定性。掩模版在制造过程中因生产环境、材料异常等原因产生的各种缺陷及各类精度偏差，与生产、传输、储存等环节中出现的污染物，会通过半导体曝光工艺传递到下游芯片上，并以影响芯片性能与可靠性的缺陷形式存在。因此能够及时、准确地对掩模版上的各类缺陷进行测量，并在不产生二次污染的情况下对缺陷进行精准修补，具备较高的技术难度。公司依托长期以来的项目经验自研了一系列掩模版精度测量及缺陷检测技术，包括AOI初检、高精度CD测量、Overlay测量、居中测量、贴膜后检查、终检等工序，能够有效地测量出掩模产品的关键参数及瑕疵（Defect）、微粒（Particle）、图形CD精度偏差过大、位置精度偏差过大等缺陷情况。基于优异的测量和检测能力，公司可以最大限度地保障产品制程与精度水平达标，为产品质量提供保证。