2020-2024年全球碳化硅基射频器件市场规模预测趋势图

年均复合增长率达35.79%。中商产业研究院分析师预测，2024年全球碳化硅功率器件市场规模将增至26.23亿美元。

目前主流的射频器件有砷化镓、硅基LDMOS、碳化硅基氮化镓等不同类型。碳化硅基氮化镓射频器件具有良好的导热性能、高频率、高功率等优势，有望开启广泛应用。中商产业研究院发布的《2024-2029全球及中国SiC和GaN功率器件市场洞察报告》显示，随着通信基础建设和军事应用的需求发展，全球碳化硅基射频器件市场规模持续增长，2023年市场规模达到14.18亿美元。中商产业研究院分析师预测，2024年全球碳化硅基射频器件市场规模将达到16.54亿美元。

碳化硅功率半导体器件主要包括碳化硅二极管、碳化硅MOSFET、碳化硅IGBT等。这些器件在高功率、高频率和高温度环境下具有优异的性能，广泛应用于电力电子、新能源、汽车电子等领域。