2022年时代电气IGBT模块的全球市场份额提升至4.1%

硅基器件逼近物理极限，化合物半导体前景广阔。目前绝大多数的半导体器件和集成电路都是由硅制作的，出色的性能和成本优势让硅在集成电路等领域占有绝对的优势，无论是在电力电子领域还是通信射频等领域，硅基器件在低压、低频、中功率等场景，应用也非常广泛。但在一些高功率、高压、高频、高温等应用领域如新能源和5G通信等，硅基器件的表现逐渐达不到理想的要求，以三五族为代表的化合物半导体以其性能优势在通讯射频、光通信、电力电子等领域逐步大规模民用化。

新能源车带动功率半导体市场需求快速扩容，SiC功率器件或迎替代机遇。SiC材料拥有宽禁带、高击穿电场、高热导率、高电子迁移率以及抗辐射等特性，SiC基的SBD以及MOSFET更适合在高频、高温、高压、高功率以及强辐射的环境中工作。在功率等级相同的条件下，采用SiC器件可将电驱、电控等体积缩小化，满足功率密度更高、设计更紧凑的需求，同时也能使电动车续航里程更长。据天科合达招股说明书，美国特斯拉公司的Model3车型便采用了以24个SiC MOSFET为功率模块的逆变器，是第一家在主逆变器中集成全SiC功率器件的汽车厂商；目前全球已有超过20家汽车厂商在车