
时代电气IDM模式企业将深度受益。2021年,包括宝马、大众、本田及国内新势力等车企在内均遭受因“缺芯”导致的停产,据不完全统计,“缺芯”已造成全球车企损失逾600亿美元,因此车企未来或将更加重视上游芯片的产能保障;Fabless模式企业使用外协产能,一旦代工厂出现产能挤压,其自身产能难以保障;出于供应链安全考虑,未来相关企业或将IGBT订单倾斜给拥有产能保障的IDM模式芯片供应商,时代电气有望深度受益。
技术实力突出,时代电气IDM协同效应凸显。迄今为止,以英飞凌产品为标准,IGBT芯片共有7代,核心技术节点按内部结构可分为穿通型(PT)、非穿通型(NPT)、场截止型(FS)三种;按表面结构可分为平面栅、沟槽栅和微沟槽栅。最先进的微沟槽+FS型IGBT可大幅提升高开关速度、开关频率和功率密度,同时降低损耗和面积,大多应用于新能源车电驱系统及光伏逆变器等领域,由于先进功率工艺对于版图设计和工艺实现的要求都非常高,目前全球领先的功率厂商多为IDM企业,而在整合Dynex的IGBT业务基础之上,时代电气构建了以“沟槽+软穿通”与“精细沟槽”两代技术为支撑的低压沟槽栅IGBT技术体系、以“U”型槽与软穿通为核心的高压平面栅IGBT芯片技术体系,分别应用于新能源车、光伏及轨交、特高压输电等领域。此外,公司还掌握了全套背面减薄工艺,大幅降低芯片开关及静态损耗。
模组设计、制造经验丰富,自动化封装产线保障产能及产品质量。封装技术直接关系到IGBT的寿命及鲁棒性。车载领域要求更高,IGBT封装形式常采用水冷散热,目前共有单面间接水冷、单面直接水冷及双面间接水冷等三代技术;最先进的第三代冷却模组封装技术业内尚未形成批量应用,但公司已着手研发,进一步提高其在新能源车领域的核心竞争力。目前,时代电气的自动化封装产线产品一致性高,可实现7×24小时生产,达产后预计可满足240万台新能源汽车的需求。