2029 年，SiC 器件市场规模预计将达到近百亿美元

来源：ifind，国金证券研究所

4.4看好SiC国产替代空间，布局第二成长曲线

第三代半导体是指碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氮化铝（AlN）、金刚石（C）等宽禁带半导体材料，具有高热导率、高击穿场强、高耐压、抗辐射等优点，正逐步替代硅基器件成为高压、高频、高温、抗辐射等应用领域的市场主流。

SiC器件是最具代表性的第三代宽禁带功率半导体器件，主要应用于电动汽车、光伏逆变器等大容量系统。根据Yole2024年9月数据，2023年全球SiC市场规模达27.46亿美元，其中汽车交通领域应用占比高达73%，工业领域应用包括光伏、风电等场景占比23%；预计到2029年市场规模可达98.73亿美元，年均复合增速约为24%，SiC器件仍处于加速起步阶段。

来源：Yole，国金证券研究所

目前，全球SiC器件市场仍主要以海外厂商主导。据TrendForce数据，2023年全球市场份额由海外巨头意法半导体、安森美、英飞凌、Wolfspeed、罗姆等厂商主导，前三大厂商占据72.7%的市场份额。在此背景下，目前国内新能源汽车行业所用碳化硅功率器件的供应商多以海外厂商为主，国产化率较低，至延伸到上游设备环节，碳化硅设备的国产化率整体也较低。

碳化硅晶圆制造工艺在硅基基础上需要增加部分特定设备，例如高温退火炉、高温离子注入机、SiC减薄设备、背面金属沉积设备、背面激光退火设备、SiC衬底和外延片表面缺陷检测设备等。