碳化硅产业链全景图谱

其中，关于Sic单晶体制造，现在多数SiC单晶是在以Lely法为基础的方法上获得的，其基本过程是在石墨坩塌中心内放置多孔石墨环，在两者间隙中放入Sic粉料。加热时埔锅外层温度高，中心温度低，夹层中的碳化硅升华分解，集散到低温的堆据中心，凝结称为碳化硅单晶体。

从产业链主要参与企业来看，从事碳化硅衬底片的国内厂商主要有天岳先进、三安光电、天科合达、河北网光等;从事碳化硅外延生长的厂商主要有瀚天天成和普兴电子等;从事碳化硅功率器件的厂商较多，包括派恩杰、基本半导体、长飞先进、三安光电、长电科技等。

通常情况下，晶圆尺寸越大，其单片面积就越大、边缘浪费更小，单位时间内产出的衬底、外延更多，芯片的产能也就越大、单颗芯片成本也越低。目前，国内SiC市场仍以6英寸为主，但往8英寸升级已经成为共识，2022年，国内多家企业宣布在8英寸上取得突破：