2023-2029年高性能封装各技术平台规模预测

按终端市场来看，2023年最大的应用是通讯/基础设施，占比超过67%；2023-2029年CAGR最高的应用是移动/消费电子，达50%。

按技术来看，3D堆叠存储（包括HBM、3DS、3DNAND、CBADRAM）占比最大，预计2029年贡献超过70%；2023-2029年增速较高的平台是CBA(CMOS键合阵列)DRAM、3DSoC、有源SiInterposer、3DNAND堆栈和嵌入式Si桥。

图：2023-2029年高性能封装各技术平台规模预测

图：2024年高性能封装的I/O密度和间距

资料来源：Yole，国信证券经济研究所整理资料来源：Yole，国信证券经济研究所整理

FO（Fan-Out，扇出型封装）：基于晶圆重构技术，将切割后的好芯片重新放置在载板上，芯片间距离视需求而定，布线可在芯片内和芯片外，可提供更多的I/O数量，包括晶圆级扇出型(Fan-outWaferLevelPackaging，FOWLP)和面板级扇出型(Fan-outPanelLevelPackaging,FOPLP)。与之相对的FI（Fan-In，扇入型封装）布线均在芯片尺寸内。