
光刻胶按应用领域分类可分为PCB光刻胶、LCD光刻胶、半导体光刻胶三大类。光刻胶的分类光刻胶按化学反应机理可分为正性、负性两大类,涂层曝光并显影后,曝光部分被溶解,未曝光部分留下来,为正性光刻胶,反之则是负性光刻胶。
光刻胶作为一种感光材料,在光线照射下会发生变化,是微电子技术中精细图形处理的重要环节,在电子信息、航空科技等行业得到广泛的应用。
(1)正性胶:一种在曝光前对某些有机溶剂不可溶,但在曝光后变为可溶的胶。当使用正性胶进行光刻时,在衬底表面将得到与光刻掩模版遮光图案完全相同的图形。
(2)负性胶:在曝光后,与掩腰版一样的图形被紫外光曝光后的区域经历了一种化学反应,在显影液中软化井可溶解在显影液中。曝光的负性光刻胶区域将在显影液中除去,而不透明的掩膜版下的没有被曝光的光刻胶仍留在硅片上。正性光刻胶与负性光刻胶相比具有更高的对比度、抗刻蚀比与热稳定性,性质更稳定,更适合微电子领域的应用。