
图表32:AMB基板未来有望处于主导地位图表33:全球AMB/DBC基板市场规模(亿美元)
100%
80%
60%
40%
20%
0%
DBCAMBDPCDBA
AMBDBC
资料来源:QYResearch,国联证券研究所资料来源:QYResearch,国联证券研究所
公司通过控股子公司宁波江丰同芯适时切入陶瓷覆铜基板领域,搭建完成国内首条具备世界先进水平、自主化设计的第三代半导体功率器件模组核心材料制造生产线,主要产品高端覆铜陶瓷基板已初步获得市场认可,可广泛应用于第三代半导体芯片和新型大功率电力电子器件IGBT等领域。江丰同芯通过实施“年产240万片半导体芯片先进封装用覆铜陶瓷基板生产项目”布局AMB、DBC基板业务,规划AMB、DBC产能分别为120万片/年、120万片/年。
序号 产品名称 规格/型号 年产量(万片)
1 覆铜陶瓷基板 氮化硅AMB 72
2 覆铜陶瓷基板 氮化铝AMB 48
3 覆铜陶瓷基板 氧化铝DBC 100
4 覆铜陶瓷基板 氮化铝DBC 20
合计 240
资料来源:环评公告,国联证券研究所
4.2SiC外延片取得多家客户认可
碳化硅外延片作为碳化硅器件成型的必备环节,具有不可或缺的重要作用,是推动碳化硅行业高质量发展的基石。从价值角度来看,碳化硅产业链附加值向上游集中,外延(含衬底)在碳化硅产业链中价值量较高。根据CASA数据,衬底和外延作为碳化硅产业链的上游环节,分别占碳化硅功率器件成本结构的47%、23%;2022年SiC功率电子市场规模约为21亿美元,预计到2027年SiC功率电子市场规模接近80亿美元,复合增长率为30%。高质量的碳化硅外延片生产壁垒高,加之全球碳化硅器件下游需求旺盛,造成高质量碳化硅外延片供应紧俏,使得碳化硅外延片在产业链
中的价值量占比较高。