2020年全球碳化硅衬底材料市场份额

GaN系半导体材料的外延生长主要采用MOCVD方法，普遍采用蓝宝石、SiC衬底。GaN系半导体材料的外延生长主要采用MOCVD方法，普遍采用蓝宝石、SiC衬底。LED外延生长环节的基本原理为在一块加热至适当温度的衬底基片上，利用气态物质（如InGaAlP等）在衬底表面生长出特定单晶薄膜。外延芯片行业的发展历程可追溯到20世纪50年代，当时仙童半导体公司首次提出外延生长概念，并利用化学气相沉积（CVD）技术在硅衬底上成功生长了硅外延层，进入1970年代，有机金属化学气相沉积（MOCVD）技术引入，叠加1990年代移动通信和互联网的兴起带动高速电子器件和光电器件的需求激增，外延技术迎来新的发展机遇。GaN系半导体材料的外延生长主要采用MOCVD方法，用于氮化镓生长的最普遍衬底为蓝宝石衬底，其次为SiC，目前还未有第三种衬底用于氮化镓LED的商业化生产。

全球外延片市场的增长与下游半导体行业的兴衰密切相关。随着5G技术和人工智能的快速发展，消费电子产品的需求激增，带动了半导体市场的复苏和增长，也带动全球外延片行业市场规模呈现出稳增态势，全球外延片市场规模从2017年的61亿美元扩张至2021年的86亿美元（CAGR达9.0%），中商产业研究院预计2023年有望攀升至104亿美元；

我国作为全球重要的半导体产品终端市场，外延片市场规模稳定增长，2017-2021年市场规模由72亿元增长至92亿元（CAGR达6.3%），中商产业研究院预计2023年市场规模达到100亿元。展望未来，随着智能终端设备和可穿戴技术的不断创新，以及新能源汽车、5G通信技术、物联网等新兴领域的快速发展，对于功率器件、模拟芯片的需求有望显著增加，这些技术的进步和应用扩展预计将推动外延片市场的持续增长。