2019年全球刻蚀设备市场竞争格局

工艺制程升级持续推动刻蚀机用量提升。光刻机由于波长的限制，在先进的微观结构中无法直接进行光刻与刻蚀步骤，需要通过多次光刻、刻蚀来产生符合要求的微小结构，刻蚀机的重要性不断提高。根据SEMI，20nm工艺需要的刻蚀步骤约为50次，而10nm工艺和7nm工艺所需刻蚀步骤则超过100次，工序步骤的大幅增加意味着需要更多刻蚀设备。随着集成电路工艺的进步，刻蚀设备市场空间逐步扩容，叠加国产设备市占率逐步提升，国产半导体刻蚀设备厂商未来大有可为。

国内来看，目前在刻蚀领域国内代表公司有北方华创、中微公司、屹唐股份等。北方华创深耕ICP刻蚀技术二十余年，公司多晶硅及金属刻蚀系列ICP设备实现规模化应用，完成了浅沟槽隔离刻蚀、栅极掩膜刻蚀等多道核心工艺开发和验证，已实现多个客户端大批量量产并成为基线设备。截至2023年底，北方华创ICP刻蚀设备已累计出货超3200腔。CCP刻蚀方面，2021年北方华创开始着力进行介质刻蚀设备研发，目前公司CCP设备实现了逻辑、存储、功率半导体等领域多个关键制程的覆盖，截至2023年底，北方华创CCP刻蚀设备已累计出货超100腔。