2023年DRAM芯片主要厂商市场份额

存储芯片制造方面，紫光国微DRAM芯片厂已经落地，合肥长鑫也在中高端DRAM芯片制造技术上持续研发，已经突破19纳米制程，基本能够进行中端DRAM芯片的制造。

三星SK海力士美光南亚科技华邦电子其他

1.90%

0.90%

1.20%

22.90%

41.40%

31.70%

图13：中芯国际与台积电芯片2021年二季度销售比例图14：2023年DRAM芯片主要厂商市场份额

35%

0.15/0.18um

0.11/0.13um

90nm

55/66nm

40/45nm

FINFET/28nm

7nm

5nm

资料来源：同花顺、招商证券资料来源：CFM闪存、招商证券

半导体设备领域，国产设备在清洗，刻蚀，薄膜沉积等领域均取得了一定突破，光刻设备被严重卡脖子。清洗领域国内已具备生产8-12英寸高阶单片湿法清洗设备和槽式湿法清洗设备的相关技术。国产设备在国内晶圆厂市占率达

20%，且积极开拓海外市场，已获得韩国海力士等国际领先企业订单。刻蚀设备上，国产12英寸高端刻蚀设备已运用在国际知名客户65nm到5nm等先进的芯片生产线上，同时小于5nm刻蚀设备也在积极开发过程中。薄膜沉积设备方面，在一些新兴特殊工艺赛道，由于起步时间接近，国产设备与国际公司技术差距较小。在光刻领域，荷兰ASML垄断全球高端光刻机供应，由于技术壁垒非常高，国内公司仍需不断积累。

半导体材料领域，我国的大尺寸硅片、光刻胶、电子特气、湿电子化学品等国产化替代持续加速。大尺度硅晶圆上，目前沪硅产业的300mm（12英寸）硅片已经通过了客户认证，实现了面向14nm工艺节点应用的300mm半导体硅片的批量供应，目前公司有30万片/月的12寸半导体硅片产能。中环股份4-12英寸半导体硅片全部实现规模化量

产，在12英寸各门类产品上也均拥有自主技术方案。光刻胶领域，在中国光刻胶产业链上半导体光刻胶的占比仅有

2%，企业中南大光电的技术相对领先，已建成25吨生产线ArF光刻胶生产线，产品性能可以满足90nm-14nm集成电路制造的要求。电子特气领域，上百种电子特气品种之中，我国在六氟化硫、六氟乙烷等气体上已经基本实现自给。其中六氟化硫国内产能超过全球50%，六氟乙烷自给率超过60%。并在三氟化氮、超纯氨、锗烷等多个品种上已经取得较大的技术突破，其中三氟化氮国内产能已接近三分之一与国内市场需求达成基本匹配。湿电子化学品领域，国内企业距世界整体水平还有一定距离，但近年来在个别领域已接近国际领先水平，半导体行业国产化率接近30%。部

分企业双氧水、氨水技术突破国际G5等级；超大规模集成电路用超净高纯氨水等技术更是突破了国外技术垄断。图15：不同半导体设备国产化率图16：不同半导体材料国产化率