SiC产业链中高端衬底、外延片，中下游器件和终端芯片国产化水平仍待提升

图50：2016-2023年中国SiC、GaN电力电子和GaN微波射频器件市场增长迅速

数据来源：前瞻产业研究院

图51：SiC产业链中高端衬底、外延片，中下游器件和终端芯片国产化水平仍待提升

数据来源：国泰君安证券研究

根据CASA公布的数据，2022年我国第三代半导体功率电子和微波射频两个领域实现总产值141.7亿元，较2021年增长11.7%。SiC、GaN功率电子产值规模达74.3亿元，同比增长28.33%，衬底材料约5亿元，外延约5.8

亿元，器件及模组约11.6亿元，装置约51.9亿元，其中衬底环节增速最快，

达到35%。GaN微波射频产值达到67.4亿元，较上年持平，其中衬底约9.9

亿元，外延3.9亿元，器件及模组11亿元，装置约42.6亿元。近�年，第

三代半导体材料电力电子市场复合增长率约40%，GaN微波射频市场复合增长率约48%。预计到2029年，中国SiC、GaN电力电子器件应用市场规模有望突破600亿元，年复合增长率为35%。GaN射频器应用市场规模或

将突破250亿元，年复合增长率为20%。中国第三代半导体材料整体市场规模或达到855亿元，年均复合增长率约30%。