
中低速率激光芯片国产化程度较高,高速率激光芯片国产化加速。在2.5G及以下速率光芯片领域,中国光芯片企业已基本掌握核心技术,拥有较高的国产化率。根据ICC的预测,在2021年,国产光芯片在该速率范围内占据全球市场份额超过90%。10G光芯片领域,10G光芯片国产化情况根据其技术及工艺存在一定差异,一些性能要求较高、难度较大的光芯片,例如10G VCSEL/EML激光器芯片等,国产化率还不到40%。25G及以上光芯片领域,随着5G基站建设的推进,中国光芯片厂商在应用于5G基站前传光模块的25G DFB激光器芯片方面取得了一些突破。2021年,25G光芯片的国产化率约为20%。然而,25G以上光芯片的国产化率仍然较低,约为5%。此外,应用于数据中心的高速率光芯片产品也由海外厂商主。光芯片国产化势在必行,高速率产品静待花开。根据研精毕智,2021年DFB芯片、VCSEL芯片和EML芯片三种类型在市场中的份额分别达到42.1%、29.2%和18.6%。随着政府陆续出台相关行业支持政策和产业规划,未来将大力增加在光芯片技术研发方面的投入,从而提高光芯片的国产化率。在中下游的激光器、光模块及相关设备国产化不断推进的背景下,光芯片作为上游核心元器件将成为我国光电子领域国产化的下一个重点突破领域。从国产化的发展趋势来看,目前我国高功率激光芯片和部分高速率激光芯片(如10Gbps和25Gbps等)已经进入了国产化加速突破的阶段,而光探测芯片和25Gbps以上高速率激光芯片仍然处于进口替代的早期阶段,未来国产化的提升潜力广阔。