全球功率分立器件市场竞争格局（2022A）

日企产品种类齐全，矩阵完善。MOSFET和IGBT作为功率器件核心产品，被广泛应用于消费电子、新能源汽车及光伏等领域。MOSFET具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、制造工艺简单和辐射强等优点，IGBT由BJT和MOSFET组合而成且兼具两者优点，包括高输入阻抗、低导通压降、驱动功率小等。日本公司中，瑞萨、三菱电机、富士、罗姆等企业在高压IGBT、MOSFET以及SiCMOSFET等领域产品矩阵完善。

日企加码碳化硅，本土投资设厂先后启动。罗姆在日本拥有四个基于碳化硅的功率半导体生产基地，分别位于京都总部、福冈、长滨、宫崎，目标是到2025财年碳化硅功率半导体产能提高到2021财年的6倍。瑞萨2023年5月宣布投资SiC工厂，目标2025年开始量产。三菱电机与安世半导体2023年11月宣布联合开发SiCMOSFET。