
4)第四代半导体材料可分为超宽禁带半导体和超窄禁带半导体,其中超宽禁带半导体 以氧化镓(Ga2O3)、金刚石(C)为代表,超窄禁带半导体以锑化镓(GaSb)、锑化铟(InS b)。从技术成熟度层面来看,氧化镓禁带宽度(Eg=4.9eV)比第三代半导体材料更好,在 导电性能和发光特性上也更优,因此在辐射探测传感器芯片、功率校正、逆变、高功率和超 大功率芯片产业上具有广阔的应用前景。整体而言,全球半导体依然以硅材料为主,目前9 5%以上的半导体器件和99%以上的集成电路都是由硅材料制作。
整个半导体行业的产业链上游供应链主要由半导体材料和半导体设备构成。作为芯片 制造上游的重要支柱,半导体材料决定了芯片性能的优劣,因此不同于其他非电子材料行业 ,半导体材料对精度纯度等都有更为严格的要求,因此,芯片能否成功流片,对工艺制备过 程中半导体材料的选取及合理使用尤为关键。
前瞻产业研究院,五矿证券研究所根据SEMI数据,2006-2023年全球半导体材料市场规模呈现波动并整体向上的态势。20 23年,受下游需求疲软、制造商调整库存的影响,晶圆厂利用率下降,材料消耗量随 之下 降,