NAND 市场市占率变化情况，CR5长期保持在90%以上

图99美光DRAM整合情况：吞并大量半导体大厂DRAM产线

数据来源：公司公告，国泰君安证券研究

4.4.3.2003年-2014年：多元发展，扩展NAND业务后来居上

美光始终寻求多元化的发展战略，在发展历史中先后从事过半导体显示，逻辑芯片、图形芯片及个人PC业务。在存储业务上也积极扩张产品矩阵。2004年，美光看到NANDFlash产品在堆叠降本上的巨大潜力，在原先DRAM和NORFlash基础上，推出首款NAND产品。2005年，美光与英特尔成立NAND合资企业IMFlashTechnologies，使美光获得英特尔先进的NAND技术和知识产权，进入快速增长且利润率高的NAND闪存市场。2006年，美光收购LexarMedia，整合存储资源。2007年，美光和英特尔率先推出40纳米以下NAND闪存。2010年，美光从英特尔、意法半导体、内华达州和FranciscoPartners手中收购NOR制造商NumonyxBV；美光和英特尔宣布推出全球首款20纳米MLCNAND，只需8个芯片即可在单个指尖大小的封装中存储1Tb数据，树立了新的存储基准。2012年，美光成为首家量产采用hi-k金属栅极技术NAND的公司。2013年，美光收购ElpidaMemoryInc.和RexchipElectronicsCorporation，一举成为全球第三大DRAM芯片厂商，DRAM市场从此成为三足鼎立格局。

图950DRAM市场市占率变化情况，美光收购

Elpida后市场集中度显著提升

SamsungSKHynixMicronGroup

NanyaWinbondPowerchip

图961NAND市场市占率变化情况，CR5长期保持在90%以上

SamsungSKGroupWDCKioxia*MicronOthers

100%

80%

60%

40%

20%

0%

ElpidaOthersCR3

100%

90%

80%

70%

60%

50%

100%

90%

80%

70%

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30%

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10%

0% 100

95%

90%

85%

80%

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70%

65%

60%

55%

50%

数据来源：DRAMeXchange，国泰君安证券研究数据来源：DRAMeXchange，国泰君安证券研究

4.4.4.2015年至今：多次引领存储技术革命，量产HBM3E具备世界顶尖水准

经过多年的尝试与打磨，美光最终选择将业务收敛，仅保留具备全球竞争优

势的存储业务，持续在半导体存储推出具备里程碑意义产品。2015年，美

光和英特尔宣布推出3DXPoint技术，几十年来首次开拓了全新的内存类别。这种非易失性存储器的速度比NAND快1,000倍，耐用性高1,000倍。同年，美光和英特尔还推出3DNAND，成为有史以来开发的最高密度闪存，3DNAND标志着半导体存储的一个重要转折点。通过垂直堆叠数据存储单元层，3DNAND的容量是平面NAND技术的三倍。2016年，基于公司图形芯片开发经历，美光推出全球最快图形DRAMGDDR5X。GDDR5X提供高达14Gb/s的数据速率，基本上是之前GDDR5内存带宽的两倍。