
根据《Life cycle assessment of silicon wafer processing formicroelectronic chips and solar cells》(Mario Schmidt等),我们统计出每平米DRAM存储晶圆、逻辑晶圆对于电子气体的耗量(该论文发表于2012年,部分数据可能与当前制程存在差别,但仍可提供方向性参考)。具体结论包括:
逻辑制程单位气体耗量是存储制程的3倍:根据数据统计,每平米存储芯片气体耗量约1813kg,而每平米逻辑芯片气体耗量高达5642kg,约是存储芯片的3.1倍;
电子大宗气用量比特种气体高三个量级:根据数据统计,每平米逻辑芯片电子大宗气体耗量约5639kg,其中普通级气体2305kg,高纯/超高纯级气体3334kg,而特种气体耗量仅为2.6kg;
耗量较高的特气主要包括六氟化硫、三氟化氮及其他氟碳类气体:每平米逻辑芯片对应六氟化硫耗量约725g(如今耗量下降,因为该产品为超级温室气体,正不断被替代),三氟化氮、甲硅烷耗量分别为161、73g,氟碳类当中六氟乙烷、四氟化碳耗量分别为601、268g。