DRAM市场竞争格局演变

2023年5月SK海力士紧随美光跟进1-β节点，24年着重1-α和1-β节点产能爬坡。根据Digitimes 23年12月报道，海力士规划24年于利川M16、M14工厂扩充1-α和1-β的产能，并将从1-αDRAM开始着手导入EUV制程，计划在2024年底将1-α和1-β产量增加到DRAM总产量的一半以上。报道同时指出，相较于美光在HBM3E和LPDDR5X等产品广泛铺开1-β制程，海力士优先将1-β制程应用于24年3月量产的HBM3E，预期1-β制程量产初期月产能1.5万-2万片，对比海力士整体DRAM月产能逾40万片，1-β比重仍然较低。Digitimes 24年4月援引韩国业界预期，称24Q4海力士1-βDRAM产能将约占总产能的11%。

受过早导入EUV拖累丢失DRAM制程优势，三星24年同样着眼先进制程产能爬坡。根据Digitimes 24年4月复盘三大厂商DRAM制程迭代过程，三星16Q1率先量产1x制程，领先海力士和美光一年，而纵观前三代 10nm 级（1x，1y和1z），三星始终保持率先量产。

然而，根据Semianalysis于23年12月发表的《ASML Dilemma: High-NA EUV isWorse vs Low-NA EUV Multi-Patterning》和22年4月发表的《Samsung Electronics Cultural Issues Are Causing Disasters In Samsung Foundry, LSI, And Even DRAM Memory!》，三星自1z nm开始引进EUV（2020年），由于管理层决策失误，激进地将原有产能大量替换为EUV，但随之而来的成本和良率问题导致三星无法有效地推广其基于EUV的新DRAM工艺技术，1z、1-α和1-β制程产能爬坡缓慢，2022年间一度传出三星放弃1-β制程研发。时至今日，尽管业界已先后采用了EUV制造DRAM，但三星在密度和性能竞赛中仍然落后，海力士和美光在密度和成本结构方面均领先于三星。Digitimes 24年4月援引韩国业界观点，鉴于HBM和DDR5对先进制程需求，三星24年将将大部分资本支出用于扩产HBM和先进制程爬坡，24Q4三星1-βDRAM产能将约占总产能的13%。