导电型碳化硅市场规模CAGR预计达32%

性能指标 Si 4HSiC

禁带宽度（eV） 1.12 3.26

击穿场强（MV/cm） 0.3 3

漂移饱和速度（10^7cm/s） 1 2

热导率（W/cm℃） 1.5 4.9

数据来源：ROHM，第三代半导体产业技术创新战略联盟，国泰君安证券研究

数据来源：ROHM，国泰君安证券研究

3.1.2.新能源汽车为导电型碳化硅器件主要应用场景，市场规模占比超70%

根据电阻性能不同，SiC器件可分为导电型碳化硅功率器件和半绝缘型碳化硅射频器件。导电型碳化硅功率器件需要在导电型衬底上生长出碳

化硅外延，再进一步加工成MOSFET、IGBT等器件，半绝缘型碳化硅基射频器件通过在半绝缘型碳化硅衬底上生长出氮化镓外延，进而制成HEMT等氮化镓射频器件。导电型碳化硅器件主要应用于新能源汽车、光伏、工业、轨道交通等领域，半绝缘型碳化硅基射频器件主要应用于5G通信、车载通信、航空航天等领域。

新能源汽车为导电型碳化硅器件主要应用场景，市场规模占比超70%。据Yole统计，2022年导电型碳化硅器件市场规模17.94亿美元，并预计

2028年将达到89.06亿美元，CAGR达32%；其中，新能源汽车导电型碳化硅器件市场规模达12.56亿美元，占总市场70%。随着800V高压平台放量，主驱逆变器、DC/DC等部件将进一步促进SiC器件在新能源汽车领域的渗透。

89.06

62.97

47.09

35.4

26.23

17.9419.72 4

5.87.810.9

占比70% 100 80 60 40 20 0

5%2%

13%

0% 1

70%

导电型碳化硅市场规模(亿美元)

新能源车充电设备和光伏

工业轨道交通

其他

数据来源：Yole，国泰君安产业研究数据来源：Yole，前瞻产业研究院，国泰君安产业研究

3.1.3.衬底、外延技术迭代与量产能力是SiC器件降本主要限制因素