SiC器件、其他高压零部件、充电设施为产业链受益环节

尺寸SiCMOSFET尺寸为SiMOSFET的1/10

导通电阻SiCMOSFET导通电阻为SiMOSFET的1/200

能量损耗SiCMOSFET平均能量损耗为SiMOSFET的1/4

数据来源：华润微电子，比亚迪半导体，亿欧智库，国泰君安证券研究

3.“800V”为新能源车电气系统产业链带来价值增量，SiC器件为首要受益环节

“800V”高压平台产业链带来的机会主要集中在SiC器件、其他高压零部件、充电设施中。在中上游领域，SiC相关器件作为800V的标准搭配，

衬底、外延正处于从“卡脖子”向国产全面替代的进军时期，良率、工艺等问题的改善将促进SiC相关器件成本下行，有助于800V大规模量产。除此之外，800V平台对于车内零部件的承压能力以及用量提出了新的要求，促进电驱动、小三电、高倍率电池、继电器、熔断器、薄膜电容、AFE芯片等环节全面替代，在单车数量和价值量上进行双重提升。2022年以来，随着众多车企800V高压车型的推出，代表车型销量稳定上涨，但高压车型渗透率提升正同充电桩、充电站建设不完善的现状形成较大矛盾点，超快充对电网电容冲击的担忧亦是高压车型颇受争议的限制因素，针对基建层面的短板，产业与各大车企亦正加速研发和布局800V适配的超快充电设施。

SiC器件

其他高压零部件

车端

充电设施

图13：SiC器件、其他高压零部件、充电设施为产业链受益环节

继电器、熔断器、薄膜电容、高压

数据来源：国泰君安证券研究

3.1.国产SiC器件竞争力日益提升，车规级碳化硅器件开启上车进度

3.1.1.SiC材料在性能上具备优势

SiC是第三代半导体材料，与Si材料相比，SiC在禁带宽度、击穿场强、漂移饱和速度等性能上具备优势，且传统车载硅基器件往往受到600V电压限制，因此在未来“800V高压平台”普及的时代之下，SiC器件凭借

耐高压、耐高温、低损耗特性有望迎来产业化放量阶段。