2022 年，中国大陆有三家企业进入全球MOSFET市场份额前十大（单位：%）

1.3中低端领域基本实现替代，高端领域国内厂商加速渗透

全球功率半导体的市场集中度较高，中高端产品的生产厂商主要集中在欧美、日本，大部分为IDM经营模式。中国功率市场竞争格局较为分散且势均力敌，目前尚未出现像英飞凌这样垄断性地位的行业龙头出现。由于海外厂商向高端化转型，部分中低端产品市场份额释放给国内厂商替代，目前国产替代在部分中低端应用场景基本实现。在中高端应用场景中，近几年中国的头部功率半导体企业逐渐实现了技术赶超，下游需求端的国产替代意愿也逐年升高。未来，随着中国功率半导体公司逐步突破高端产品的工艺瓶颈，中国对高端领域的功率器件进口依赖将进一步减弱，替代效应将显著增加。

根据Omdia的数据，2022年全球功率MOSFET排名前3的供应商所占市场总份额为47%，2022年全球功率MOSFET管排名前6的供应商所占市场总份额为63%，2022年全球功率MOSFET管排名前10的供应商所占市场总份额约为79%，排名前3的供应商市场份额进一步增加，行业集中度较高。在MOSFET市场，2022年全球排名第一的英飞凌全球市场份额达26%，全球MOSFET市场仍由英飞凌、安森美、意法半导体、东芝等欧美日系厂商主导，但近年来，海外巨头的市场份额呈下降趋势，2022年中国大陆有安世（闻泰收购）、华润微、士兰微三家企业进入全球MOSFET市场份额前十，未来随着下游需求复苏，国产替代、份额提升的速度有望进一步加快。

图表20：2022年，中国大陆有三家企业进入全球MOSFET市场份额前十大（单位：%）

图表21：全球IGBT市场集中度较高，2022年行业CR3达51%（单位：%）

丹佛斯,2%

罗姆,2%

英飞凌,

27%

其他,23%

电装,3%

士兰微,3%

日立,4%

赛米控,4%

富士电机,

8%

三菱,14%

安森美,

10%

来源：Omdia，国金证券研究所来源：Yole，智研咨询，国金证券研究所

根据Yole的数据统计，全球IGBT2022年行业CR3达51%。其中，英飞凌、三菱、安森美三家的市占率分别达到了27%、14%、10%。英飞凌、富士电机、三菱等欧美和日系厂商在IGBT市场竞争中拥有优势地位。英飞凌、三菱电机、ABB等国外厂商基本覆盖600V-6500V全系列电压，在1700V以上中高压领域具有绝对优势，英飞凌、赛米控、安森美在1700V以下具有优势；而国内厂商基本集中在中低压领域，时代电气和斯达半导已经有高压3300V及以上的产品应用。随国内市场新能源、光伏等下游行业的发展和国内产业链自主可控的要求，国产化率将进一步提升。

根据ICWISE统计，2021年，中国MOSFET市场的国产化率达到30.5%。预计随着国产替代加速，至2026年MOSFET的国产化率将达到64.5%。从产品结构来看，平面型MOSFET和沟槽型MOSFET的国产化率高于超级结型MOSFET，ICWISE预测到2026年，平面型MOSFET、沟槽型MOSFET和超级结型MOSFET的国产化率将分别达到68.7%、66.6%和47.9%。