2016-2023年中国SiC、GaN电力电子和GaN微波射频器件市场规模

行业主要上市公司：华润微(688396);三安光电(600703);士兰微(600460);斯达半导(603290);天岳先进(688234)等

随着“碳达峰、碳中和”战略的推进实施，绿色、低碳、清洁能源等技术将加速应用，第三代半导体材料作为实现高效电能转换技术的重要支撑获得快速发展。

根据CASA公布的数据，2022年我国第三代半导体功率电子和微波射频两个领域实现总产值141.7亿元，较2021年增长11.7%。其中，SiC、GaN功率电子产值规模达74.3亿元，同比增长28.33%，衬底材料约5亿元，外延约5.8亿元，器件及模组约11.6亿元，装置约51.9亿元，其中衬底环节增速最快，达到35%。GaN微波射频产值达到67.4亿元，较上年持平，其中衬底约9.9亿元，外延3.9亿元，器件及模组11亿元，装置约42.6亿元。

经初步核算，2023年我国SiC、GaN电力电子产值规模达85.4亿元，GaN微波射频产值达70亿元，我国第三代半导体产业电力电子和射频电子两个领域实现市场规模155亿元。

2022年国内市场增长的最大动力来自于新能源汽车市场(含充电桩)、光伏和储能。新能源汽车市场爆发带来车用半导体市场迅猛增长,“800V+SiC”高压平台的应用加速了SiC的渗透。另外两大增长动力来自于光伏和储能市场。