3D NAND层数持续增多,对刻蚀设备需求大幅提升。伴随2D结构存储芯片线宽已接近物理极限,3DNAND逐步成为NAND主流产品,目前128层3DNAND闪存已进入大生产,192层闪存已处于批量生产阶段,256层正在开发。对于逐步增加层数的3D NAND生产,刻蚀要在氧化硅和氮化硅的叠层结构上,加工40:1到60:1甚至更高的极深孔或极深的沟槽,一方面对刻蚀设备性能要求提升,另一方面对刻蚀设备的数量需求提升,总体使得3DNAND产业链中刻蚀设备的价值量占比大幅提升。