2022 年ST 占据全球SiC器件37%份额成为市场领导者而衬底市场集中度更高

从缺芯潮缓解转向下游终端市场需求低迷，国内功率器件市场供需关系的恶化掣肘了行业发展。在半导体赛道的周期性“寒冬”之下，各家企业相继采取措施，减产、缩减投资等逐渐成为行业厂商度过危机的主要方式之一。在此背景下，SiC的建厂扩产热潮却愈演愈烈。

来源：半导体行业观察，行家说三代半，国金证券研究所

根据半导体行业观察的数据，从SiC器件的成本结构来看，衬底和外延价值量占比超过一半，其中衬底的成本最大，占比达47%，其次外延成本占比23%，成为决定SiC功率器件品质的关键。衬底即通过沿特定结晶方向将晶体切割、研磨、抛光，得到具有特定晶面和适当电学、光学和机械特性的洁净单晶圆薄片，用于生长外延层，可分为半绝缘型和导电型。

根据Yole的数据，SiC衬底行业高度集中，全球衬底前三名分别为Wolfspeed（CREE）、II-VI、Rohm。从半绝缘型的SiC衬底市场份额来看，Wolfspeed、II-VI和山东天岳三家公司平分秋色，各占据约30%的市场份额。从导电型SiC衬底的市场份额来看，Wolfspeed占据超60%的市场份额，在SiC单晶市场价格和质量标准上有极大话语权，天科合达和山东天岳占比仅为1.7%和0.5%。

来源：Yole，半导体行业观察，国金证券研究所

SiC器件环节主要负责芯片的制造，涉及的流程相对较长，以集合芯片设计、芯片制造、芯片封测等多个产业链环节于一体的IDM模式目前较为常见。在器件制备方面，由于材料的特殊性，器件过程的加工和硅不同，采用了高温工艺，包括高温离子注入、高温氧化以及高温退火工艺。