2022 年IGBT 单管竞争格局

电气性能优势显著，SiC功率器件渗透率有望持续提升。半导体材料目前发展到第三代，第一代材料以硅（Si）、锗（Ge）为代表，应用最为普遍；第二代材料以砷化镓（GaAs）、碲化铟（InSb）为代表；第三代材料以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表。SiC材料和传统的Si材料相比，可以同时达到高电压和高频率，并且具有更好的散热性能，因而在功率半导体领域具有得天独厚的优势。

新能源汽车需求驱动SiC市场快速扩张。由于碳化硅耐高温、耐高压、高频工作等特征，可以很好地降低器件功耗、保障可靠性。根据Yole的预测，全球SiC器件的市场规模将从2021年的10.90亿美元增长至2027年的62.97亿美元，复合增速达到33.95%。而推动市场规模扩大的主要驱动力来自于汽车行业，预计2027年SiC器件市场79.18%的收入将来自于汽车，其次是工业的8.73%和能源的7.27%。