2020-2026 年硅基MOSFET 各市场规模预测

高压大电流应用场景显著增加，IGBT市场空间广阔。IGBT全称绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极结型晶体三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件，既有MOSFET的开关速度高、输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关损耗小的优点，又有BJT导通电压低、通态电流大、损耗小的优点，在中高电压、大电流、高频率的应用场景下具有很好的适应性，显著优于其他功率器件。因此，在对工作频率要求不高，却对功率、电流、电压有较高要求的场景下，IGBT对MOSFET有较好的替代作用。

IGBT市场规模持续扩大，新能源汽车与光伏领域增量显著。根据Omdia的统计和预测，全球IGBT市场规模2024年预计达到66.19亿美元，2020-2024年复合增速约为5.16%；中国IGBT市场规模2024年预计达到25.76亿美元，2020-2024年复合增速约为4.34%，中国市场占全球比例约为40%左右。由于2020年以来，新能源汽车、光伏、储能、风电等领域的发展进度较快，IGBT市场规模扩张速度或将超出原先的预期。