
•HBM市场竞争白热化。2023年市场主要HBM代际是HBM2、HBM2e和HBM3,算力卡性能提升刺激HBM产品更迭,2023年下半年伴随NVIDIAH100与AMDMI300的搭载,HBM3渗透率提升。2024年伊始,SK海力士完成HBM3e开发,并送样英伟达测试,有望于上半年量产。预计三星电子和美光科技即将送样HBM3e,也有望于上半年量产,其中美光科技跳过了HBM3,直接研发HBM3e。三家原厂在HBM领
域的竞争日趋白热化。
9%
38%
53%
SK海力士三星电子美光科技
数据来源:Trendforce,中信建投
•二线、三线DRAM厂商也正在切入HBM赛道。华邦电于2023年8月介绍了其类HBM高带宽产品CUBEx,采用1~4层TSVDRAM堆叠,I/O速度500M~2Gbps,总带宽最高可达1024GB/s,颗粒容量为0.5~4GB,功耗低至不足1pJ/bit。这种比常规HBM拥有更高带宽的CUBEx可用于AR、VR、可穿戴等领域。