2016-2025年中国大陆封装市场规模及预测

传统封装（亿元）先进封装（亿元）传统封装增长率（%）先进封装增长率（%） 3000 2500 2000 1500 1000 500 0

201620172018201920202021E2022E2023E2024E2025E

40%

资料来源：Frost&Sullivan，民生证券研究院

2.4TSV带动电镀、测试、键合等设备需求

2.4.1先进封装工艺分类及生产流程

倒片封装工艺经过凸点制作、背面研磨、晶圆切割/划片、倒片键合、底部填充、模塑、打标、植球、切单工序组成。倒片封装体中凸点（Bump）是基于晶圆级工艺而完成的，而后续工序则与传统封装工艺相同。

铜柱凸块（CPB）需要先后经历铜电镀和焊料电镀两道工序后形成，所使用的焊料通常为不含铅的锡银合金。电镀完成后，光刻胶随即被去除，并采用金属刻蚀工艺去除溅射而成的凸点下金属层（UBM），随后通过晶圆级回流焊设备将这些凸点制成球形。这里采用的焊接凸点回流焊工艺可以最大限度减少各凸点的高度差，降低焊接凸点表面的粗糙度，同时去除焊料中自带的氧化物，进而保障在倒片键合过程中增加键合强度。

重新分配层封装工艺（RDL）：首先通过溅射工艺创建一层金属薄膜，之后在金属薄膜上涂覆厚层光刻胶。随后利用光刻工艺绘制电路图案，在电路图案的曝光区域电镀金层，以形成金属引线。由于重新分配工艺本身就是重建焊盘的工艺，因此确保引线键合强度是十分重要的。这也正是被广泛用于引线键合的材料—金，被用于电镀的原因。