
半导体设备行业素有“一代设备,一代工艺,一代产品”的说法。设备层面,过去数年的工艺迭代主要由光刻机的分辨率增加来主导,例如我们所熟知的 7nm 及以下等效制程工艺均由EUV光刻机制造。当前,由ASML研发的HighNAEUV光刻机即将进入批量出货阶段,意味着晶圆制造工艺及芯片产品也将面临更新换代,如GAA工艺就将取代FinFET工艺成为 3nm 及以下的主要技术路径。
GAA工艺将为设备市场带来结构性变化。GAA全称是GateAllAround,与FinFET工艺不同,GAA工艺的栅极将是环绕式的,相当于3D FinFET的改良版。由于栅极就能实现对源极、漏极的四面包裹,其对电流的控制能力更强,晶体管便可以实现更高的密度。当工艺进步至 3nm 及以下,GAA工艺将成为主流。