全球碳化硅功率器件市场规模预测趋势

国内企业逐步切入，器件存在突围机会。随着技术突破和成本的下降，SiC功率器件市场规模快速上升。根据Yole数据，2017年和2021年碳化硅功率器件市场规模分别约3.11亿和9.14亿美元，复合增速约31%，预计2023年碳化硅功率器件市场规模约15.82亿美元。从市场占有率来看，SiC功率器件全球主要的市场份额主要掌握在STM、Wolfspeed、Rohm、Infineon、Onsemi等行业龙头手中，CR5达91%。因为SiC器件对稳定性要求较高，需要较长的验证周期，因此中国厂商切入进程较慢，还未形成一定规模的市占率，但存在国产厂商如士兰微、斯达、华润微、安世等已实现器件规模生产并在功率MOSFET、IGBT单管、IGBT模块等部分领域跻身全球前十。随着上游衬底和外延的不断突破，下游器件厂商同样存在超车机会。

供需缺口不断扩大，海内外积极投资扩产。随着碳化硅器件在工业、汽车、光伏等各领域不断渗透，碳化硅器件的市场需求不断扩大，具有巨大市场发展潜力，各厂商加大投资投产进程以抢占市场先机。海外厂商英飞凌投资超20亿欧元马来西亚居林工厂建造第三个厂区以生产碳化硅和氮化镓功率半导体产品，预计每年可带来20亿欧元创收；意法半导体投入约21亿美元，计划于2022年前将SiC器件产能扩大2.5倍，2024年前将SiC产能扩大10倍。国内厂商加速布局，根据CASA Research数据显示，已有超过170家从事第三代半导体电力电子和微波射频的企业，士兰微投资15亿元建设6英寸SiC功率器件芯片产线，计划产能达14.4万片/年，并计划投资建设“年产720万块汽车级功率模块封装项目”；时代电气投资4.62亿元建设6英寸SiC功率器件芯片产线，计划产能达2.5万片/年；