2020年全球碳化硅外延晶片市占率

为缩小技术差距并抢占市场份额，中国厂商紧跟国际前沿技术加速布局。目前中国超过数十家已布局规划SiC外延晶片的生产，据报道，天域半导体计划购置94.7亩建设碳化硅外延材料研发及产业化项目，聚焦于6英寸和8英寸碳化硅外延晶片生产线建设，预计2025年实现营收8.7亿元，计划2028年项目达产且达产产能100万片/年。瀚天天成二期项目已竣工，聚焦于6英寸碳化硅外延晶片生产，计划2023年达产且达产产能为20万片/年，预计达产可实现产值24亿元，同时将继续建设三期项目，计划产能达140万片/年。

传统封装基于硅基，三代半导体材料具有全新设计。若将传统硅基封装结构用于宽禁带半导体功率器件时，会在频率、散热、可靠性等方面带来新的问题与挑战。

SiC功率器件对寄生电容和寄生电感更加敏感。相比于Si器件SiC功率芯片的开关速度更快，这会对驱动电压的波形带来过冲和震荡，引起开关损耗的增加，严重时甚至会引起功率器件的误开关。此外SiC功率器件工作温度更高，对散热的要求也更高。