
由于主驱逆变器中使用的SiC MOSFET相较于OBC中的SiC MOSFET规格较高,因此汽车OBC中的SiC器件渗透率有望超过主驱逆变器,我们假设2026年新能源汽车OBC中SiC器件渗透率为70%,且单车价值量年降10%,则我们测算2026年全球新能源汽车OBC中SiC器件市场规模约为9亿美元。
新能源汽车、光伏、风电、储能等应用对全球碳化硅器件的需求大增,而衬底供应商扩产缓慢,每轮扩产需要至少一年半到两年,产能的释放滞后于需求的快速增长。根据天科合达招股书的披露,从规划建厂到竣工验收并投产需要8个季度,当前供给端的扩产速度无法满足需求端的增长,导致衬底产能较为紧缺。